Horno de tratamiento térmico con vacío de refrigeración natural / horno de fusión de silicio 2400°C
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| Cantidad de orden mínima : | Negociable | Precio : | negotiable |
|---|---|---|---|
| Detalles de empaquetado : | Cartón, paleta, estuche de madera o según las necesidades del cliente | Tiempo de entrega : | 30 días laborables |
| Condiciones de pago : | 30% de depósito + 70% T/T antes del envío | Capacidad de la fuente : | 20 juegos por mes |
| Lugar de origen: | China. | Nombre de la marca: | OEM |
|---|---|---|---|
| Certificación: | CE Certification | Número de modelo: | Producción original |
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Información detallada |
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| Nombre: | horno industrial | Características: | Eléctricos múltiples |
|---|---|---|---|
| Dimensión ((L*W*H): | Las costumbres | Método de enfriamiento: | Refrigeración de circulación interna |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | 2450 ° C | Aplicación: | Recristalización del carburo de silicio |
| Resaltar: | Horno de templado al vacío,horno del alto vacío |
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Descripción de producto
Múltiples hornos eléctricos de sinterización al vacío para la recristalización de carburo de silicio
Aplicación del horno de sinterización al vacío:
El horno de sinterización al vacío se utiliza principalmente para la recristalización de carburo de silicio
Principales indicadores y rendimiento técnico
Temperatura máxima de funcionamiento: 2450 ° C
Temperatura común: 2400 ° C
Método de calentamiento: calentamiento por inducción
Gas de trabajo en el horno: nitrógeno argón
Uniformidad de la temperatura: ≤ ± 10 ° C
Precisión del control de temperatura: ±1 °C
De acuerdo con las necesidades del tiempo del proceso de sinterización, se pueden disponer múltiples hornos eléctricos en una sola fuente de alimentación, y el calentamiento y enfriamiento de los hornos individuales se pueden realizar respectivamente para lograr un funcionamiento continuo.
Medición de la temperatura: termopar WRe5/26 (0-1700 °C) + termómetro infrarrojo colorimétrico dual US RATEK (1000-3200 ° C); termómetro infrarrojo monocromático US RATEK (300-1100 ° C) + termómetro infrarrojo de doble relación US RATEK (1000-3200 ° C)
Control de temperatura: control de programa inteligente PID y control manual
Rendimiento superior del proceso, lo que hace que la calidad del producto sea un nuevo paso
El horno de sinterización de carburo de silicio tiene un excelente rendimiento del proceso, y el producto producido tiene partículas uniformes, reacción completa, alto contenido de carbono y buena calidad;
El dispositivo adopta la adquisición de datos multicanal y se muestra y opera en la interfaz hombre-máquina. Los parámetros de funcionamiento son claros de un vistazo, la operación es simple y la intensidad de trabajo es baja;
El dispositivo tiene funciones de registro y volcado de datos, y los datos se pueden ver a través de la curva histórica y se pueden transferir al medio de almacenamiento móvil;
Ahorro de energía, bobina especial y estructura de aislamiento, salida de energía estable y alta eficiencia eléctrica.
| Volumen (L) | 192 | 350 | 484 | 1920 |
| Temperatura nominal (°C) | 2400 | 2400 | 2400 | 2400 |
| Temperatura límite (°C) | 2450 | 2450 | 2450 | 2450 |
| Zona de calentamiento efectiva (mm) | 400X400X1200 | 500X500X1400 | 550X550X1600 | 800X800X3000 |
| Potencia (KW) | 150 | 250 | 350 | 550 |
| Frecuencia (HZ) | 1500 | 1000 | 1000 | 1000 |
| Método de control de temperatura | Termostato eléctrico de la isla japonesa | |||
| Método de calentamiento | Calentamiento por inducción | |||
| Sistema de vacío | Bomba de vacío de válvula de carrete + bomba de vacío Roots | |||
| Atmósfera de sinterización | N2, Ar2, etc. | |||
| Tensión de alimentación nominal (V) | 380 | |||
| Tensión de calentamiento nominal (V) | Según el diseño, configure el transformador | |||
| Límite de vacío (pa) | 40 (estado frío de vacío) | |||
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