シリコン・カービッド再結晶のための多重電気真空シンタリング炉

製品の説明

シリコン・カービッド再結晶のための多重電気真空シンタリング炉

真空シントリングオーブンの適用:

真空シンタリングオーブン 主にシリコンカービッドの再結晶化に使用

主な技術性能と指標

最大動作温度: 2450°C

一般温度: 2400 °C

加熱方法:インダクション加熱

炉内の作業ガス:窒素アルゴン

温度均一性: ≤ ± 10 °C

温度制御精度: ±1 °C

シンテリングプロセスの時間需要に応じて,複数の電気炉を1つの電源に配置することができる.連続的な動作を達成するために,それぞれ個々の炉の加熱と冷却を実行することができます.

温度測定:WRe5/26熱対 (0~1700°C) +US RATEK双色度赤外線温度計 (1000~3200°C)US RATEK単色赤外線温度計 (300〜1100°C) + US RATEK 倍比色赤外線温度計 (1000〜3200°C)

温度制御:PID インテリジェントプログラム制御と手動制御

優れたプロセス性能,製品品質を新たなステップにする

シリコンカービッドシンタリング炉は優れたプロセス性能があり,生産された製品は均質な粒子を有し,完全な反応,高炭素含有量,良質です.

装置は,マルチチャネルデータ収集とディスプレイを採用し,人間機械インターフェースで動作します.操作パラメータは一目で明確で,操作は簡単です.労働の強度は低い;

装置にはデータ記録とダンピング機能があり,データは過去曲線を通して表示され,モバイルストレージメディアに転送できます.

省エネ,特殊なコイルと隔熱構造,安定した出力,高い電気効率.